Vishay宣佈推出首款採用具頂底散熱通路的封裝的30V單片功率MOSFET和肖特基二極體，其可在具有強迫通風冷卻功能的系統中高性能運作。新型SkyFET SiE726DF器件採用具有雙面冷卻功能的PolarPAK封裝，可提升高電流、高頻運用的效率。

Vishay推出30V單片功率MOSFET和肖特基二極體

新型SiE726DF在10V柵極驅動時，具有極低的導通電阻，最大為0.0024Ω（在4.5V驅動時，最大為0.0033Ω），且在無散熱片的情況下，能夠處理的電流水準比具有相同占位大小的SO-8高50%，為伺服器和通信系統中的高電流直流—直流轉換器的同步整流低端控制開關、VRM運用、顯卡和負載點等應用進行了優化。該器件的典型柵極電荷為50nC，具有很低的Qgd/Qgs比率，能夠提供良好的擊穿保護。

集成了MOSFET和肖特基二極體的SiE726DF具有的Qrr為30nC，VSD為0.37V，兩者均比標準MOSFET低50%以上，且因為寄生器件減少和MOSFET體二極體相關的功率損耗降低，效率也得到了提高。隨著開關頻率升高，功率損耗減少越來越顯著。此外，取消外接肖特基二極體可在降低成本的同時，令設計人員創造出更小、更簡潔的電路設計。PolarPAK封裝提供的雙面冷卻功能在高電流運用領域表現出更出色的散熱性能。這使器件能夠在更低結溫下運作，頂部熱阻為1°C/W，底盤熱阻為1°C/W。除簡化生產外，基於引線框架的密封設計因晶片密封，同樣提供了保護和可靠性。無論晶片大小，該器件提供相同的佈局佈線，簡化PCB設計，且100%通過Rg和 UIS測試。