英飛凌宣佈推出可提供出色輻射功率和強度的新系列高速紅外發射器。採用雙異質晶片GaAlAs/GaAlAs 技術構建的Vishay Semiconductors新型IR發射器與上一代器件相比，其輻射強度提高了43%，從而擴展了汽車、消費類及工業環境中紅外資料傳輸和擋光系統應用的範圍與可靠性。

日前推出的這四款器件峰值波長均為870 納米，其典型正向電壓僅為.5V，因而節省了電能。對於具有高調製頻率或高資料傳輸速率要求的自由空中數據傳輸系統—例如可擕式攝像機與電視機之間的紅外視頻數據傳輸，Vishay 提供了兩款採用5 毫米圓形塑膠T-1. 封裝的新型發射器。TSFF5410 將±22°的半強度角與70mW/sr的輻射強度進行了完美結合，而TSFF5210 將±

10°的半強度角與180mW/sr 的輻射強度進行了完美結合。這兩款器件均具有23MHz 的高調製帶寬和15ns 的典型升降時間。

對於需要小型表面貼裝器件的應用—例如高速IR 資料傳輸與高性能感測器，Vishay 以微型PLCC-2 SMD 封裝提供了兩款新器件。這兩款器件均具有60° 的半強度角和10mW/sr 的典型輻射強度，TSMF4710（調製帶寬為23MHz）的典型升降時間為15ns，而TSMF3710（調製帶寬為12MHz）的典型升降時間為30ns。