安森美半导体(ON)近日推出崭新的沟道处理科技，相较于市场上其他沟道处理产品，其平均可增进导通电阻效能达40%。安森美表示，该公司在今年底前计划推出一个以此沟道处理科技为基础的完整P通道及N通道MOSFET产品线。而在本季中将推出的初始元件所针对的应​​用为负载管理、电路充电、电池防护、以及可携式和无线产品中之DC-DC转换等。专为电脑和自动化应用而设计之高效能元件将随后推出。安森美半导体副总裁暨整合电源产品部总经理Ramesh Ramchandani表示，「我们将改进的单元结构与安森美半导体的沟道科技结合，可直接转换而延长电池寿命、更高的电源转换特性、以及更高的热效率。」

安森美半导体的沟道科技，实现了良好的通道密度，且在一定的封装面积上提供了较佳的导通电阻效能。例如，其可提供ChipFET封装(1.8mmx3.3mm)之8V、P通道和20V、P通道产品，其导通电阻分别为19 mOhms和21 mOhms。平均来说，这些导通电阻值在闸电压为4.5V时，相较于市场上其他相同封装面积的产品，所反映的是40%的增进效能。