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on推出一系列SOT553和SOT563 (2003.07.07)
安森美半导体持续致力于研发高效能且节省空间的组件，近日又推出5款新的保护组件，将多个瞬时电压抑制(TVS)组件整合于1.6 x1.6 x0.6mm尺寸的SOT553或SOT563精巧封装中。
除了符合严格的静电释放(ESD)保护要求，这些SOT5xx封装的组件还比传统的SC88封装节省了电路板面积达36%，且降低了40%的高度 |
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安森美推出自我保护组件SmartDiscrete家族 (2003.07.04)
安森美半导体（ON）持续扩展其高效能低成本的电源MOSFET产品线，近日又推出新的自我保护组件SmartDiscrete家族。这些新组件为低位端(low-side)、自我箝位(self-clamped)、46伏、 48-185 毫奥姆的MOSFET，具整合电流限制保护、过温停机、过电压保护、及静电释放保护等 |
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安森美发表五款微整合电路 (2003.04.14)
安森美半导体(ON)近日发表五款新的微整合MicroIntegration(tm)电路，为保护可携式和电脑应用中高敏感度的零组件而设计，避免在传输高速数据过程中电力暂态受损和破坏。新元件针对的应用包括了数位相机及其他可携式消费设备，视讯转换盒及PC中的高速数据埠，包括数位视频介面(DVI)、VGA、乙太网路、及通用串行汇流排埠等 |
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安森美推出N通道功率MOSFET (2003.03.13)
安森美半导体（ON）持续扩展其专为开关及电源管理应用所使用的低电压功率MOSFET产品线，近日又推出一系列新的N通道功率MOSFET。这些24/25伏的元件是特别为同步升压转换电路（ VRM 和VRD）而设计，可使用于伺服器和桌上型电脑，或网路及通讯设备之负载点（ POL）转换器 |
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安森美推出P通道及N通道MOSFET产品线 (2003.03.03)
安森美半导体，近日宣布推出了一项独特的沟道处理科技，相较于市场上其他沟道处理产品，其平均可增进导通电阻效能达40%。安森美半导体在今年底前，计划推出一个以此创新之沟道处理科技为基础的完整P通道及N通道MOSFET产品线 |
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安森美发表创新沟道科技 (2003.02.27)
安森美半导体(ON)近日推出崭新的沟道处理科技，相较于市场上其他沟道处理产品，其平均可增进导通电阻效能达40%。安森美表示，该公司在今年底前计划推出一个以此沟道处理科技为基础的完整P通道及N通道MOSFET产品线 |
