创新半导体供货商ST，2005年12月5~7于美国华盛顿举办的国际电子组件会议（International Electron Devices Meeting，IEDM）中，提出了13份技术文件。ST发布的技术文件包含全球首次披露的65奈米NOR闪存制程技术，这种组件具有0.042平方微米的超小型单元尺寸，并采用新颖的异质结构双极晶体管（HBT）架构，能针对大量应用实现低成本、高性能的RF CMOS平台。

“在今年IEDM中展示的技术与尺寸微缩能力，再次证实了ST的研发实力，ST不仅领导创新，同时也具备驱动半导体技术向更先进制程迈进的能力，”ST先进技术与制造部执行副总裁Laurent Bosson表示。“这次的展出证实了ST具备高水平的研发能力，同时也证明了ST拥有与其他伙伴密切合作的实力，包括Crolles2联盟与来自其他多个国家之世界级研究单位在内。”

为确立在非挥发性内存（NVM）市场上的领导地位，ST发表了65奈米NOR闪存技术，该技术能以0.042平方微米的超小型单元尺寸实现高效能的每单元1位及每单元2位产品。瞄准当前无线应用对高密度闪存的迫切需求，ST的新技术运用了钴自动对准硅化闸（cobalt salicide）与三层铜金属，来整合65奈米NOR闪存数组，以及针对1.8V应用的低电压CMOS逻辑。