国际整流器公司（IR）推出IRF6718 DirectFET MOSFET。这款新型的25V组件提供业界最低的导通电阻（RDS(on)），并且针对动态ORing、热切换及电子保险丝等DC开关应用作出了优化。

IR新款DirectFET MOSFET提供超低导通电阻

IRF6718新款大型的DirectFET封装中融入了IR新一代硅技术，提供极低的RDS(on)—在10V Vgs一般只有0.5mOhm，同时较D2PAK的面积小60%，而且厚度小85%。新组件大幅减少了与传输组件相关的传导损耗，从而大大提高整体系统的效率。

IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示，IRF6718是IR第一款采用大型DirectFET封装的组件，拥有更低的RDS(on)，为高密度DC-DC应用，如较D2PAK面积更少的服务器，提供卓越的效率及热效能。另外，该组件亦有助于节省电路板空间及整体系统的成本，因为在特定功率损耗下，它较现时的方案拥有较少的组件。

此外，IRF6718为电子保险丝及热切换电路，提供经已改良的安全操作区域（SOA）能力。该组件采用无铅设计，并符合RoHS法规要求。IRF6718是IR针对DC开关应用的25V DirectFET产品系列之延伸。IRF6717中罐及IRF6713小罐型DirecFET亦针对DC开关应用，并且在各自的PCB面积上提供业极佳的RDS(on)。