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意法半导体的完全空乏型硅绝缘层金氧半晶体管组件(FD-SOI)技术被誉为硅芯片微型化进程中的突破性成果

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2013年11月06日 星期三

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意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)荣获毕博咨询公司(BearingPoint)的创新管理奖,其FD-SOI技术在「创新生态系统」类评比中技压群雄。

在过去50年里,为提高芯片的运算性能,半导体产业始终遵从摩尔定律:整合电路的晶体管数量大约每两年提高一倍。但是,随着电子电路越来越小,芯片制造厂在晶体管设计上遭遇基本尺寸缩减的难题,这一挑战限制了晶体管的性能。意法半导体的完全空乏型硅绝缘层金氧半晶体管组件(FD-SOI)技术是电子电路微型化研发领域的一项重大突破,这项技术能够为今日的数字电子产品提升30%的执行速度,同时降低30%的功耗。从网络向行动装置建立、传输、储存和使用数字内容时,FD-SOI芯片可大幅降低相关装置的功耗,这不只有助于提升用户的生活质量,还有助于解决与节能相关的社会问题。

毕博咨询公司是一家独立的管理和技术咨询企业,为70多个国家的客户及其全球咨询网络提供服务。毕博咨询公司整合产业知识、营运资源及技术专长与相关专属资产和其它资产,按照每个客户的个别需求提供客制化的解决方案。

第六届创新管理奖是由毕博咨询公司与法国杂志L’Expansion 编委会和法国知名理工大学法国国立路桥大学(Ecole des Ponts ParisTech)共同举办。基于360个(企业和政府部门)决策者的评鉴,本年度提交60份申请,从中评选23份创新管理最佳方法案例提交给专家评委审评,评委会再将其分为四大类,从每一类中评选一个优胜企业。

毕博咨询公司法国比荷卢经济联盟区总裁Eric Falque表示:「在策略上,意法半导体决定在早期研发阶段选择多个合作伙伴,这是最与众不同之处!在这个竞争非常激烈的市场上,这项新的数字技术被视为相当先进且发展快速的突破性技术。」

意法半导体执行副总裁暨策略长Georges Penalver表示:「我们十分荣幸获得毕博咨询公司、L'Expansion杂志和法国国立路桥大学所颁发的奖项。FD-SOI技术是我们的研发成果,归功于我们的长远策略目标和持之以恒的坚定意志。速度更快、散热更快及设计更简单的FD-SOI技术将加强意法半导体在勾勒未来微电子产业过程中所扮演的角色。像FD-SOI的成功一样,这项大奖对于意法半导体及其员工和合作伙伴来说是一个非凡的成就。」

關鍵字: 创新管理奖  FD-SOI  ST 
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