力旺電子9日宣佈推出0.13微米Neobit邏輯製程可程式嵌入式非揮發性記憶體技術，其後段製程採用低介電係數銅製程(low-k copper process)，將邏輯非揮發性記憶體技術推進到更先進製程領域。力旺電子之Neobit OTP嵌入式非揮發性記憶體技術，是利用CMOS製程製造的可程式記憶元件，其架構簡單、與現行製程完全相容且使用與現有元件相同的操作電壓，可在不增加光罩且不變更現有元件特性之前提下，直接進行設計 (design-in)，展現高效能與低成本的優勢。隨著CMOS製程技術的演進，元件誤差容許度縮小，傳統嵌入非揮發性記憶體元件製程所衍生的製程參數變動與外加光罩製程，難以嵌入於先進CMOS製程中，而力旺電子開發之Neobit OTP即使在0.13微米先進製程技術，完全相容於CMOS製程，其產業利用性與便利性在半導體業界引起矚目。目前該嵌入式記憶體元件技術，已成功導入0.5微米、 0.35微米、 0.25微米與0.18微米等製程進行客戶產品之量產，並於策略合作晶圓代工廠之邏輯製程(Logic)、高壓製程(High-Voltage)、矽鍺製程(SiGe)、無線射頻製程(RF)、混合信號製程(Mixed-Signal)等顯現了其穩定的產品良率、高度的可靠性及優越的記憶效能。

0.13微米Neobit OTP可運用於資料儲存(code storage)、產品碼設定(product ID code)、安全碼設定(security code)、高階類比電路調整(analog circuit trimming)以及取代傳統金屬熔線備用記憶體(laser fuse redundancy for embedded SRAM )等應用領域。Neobit OTP為符合各項應用之需求，其容量則可由數個bit延伸至1Mb，提供單一1.2V電壓、1.2V/3.3V雙電源 或 1.2V/2.5V雙電源之讀取操作電壓，並可容許由外部輸入電壓或內建高壓提昇電路(charge pumping circuit)的方式進行寫入操作。0.13微米Neobit元件之寫入模式，操作電壓低於6V，寫入時間低於100usec，並且可以採bit-by-bit, byte-by-byte 或word-by-word的方式進行寫入。針對應用於低字碼 (Low Bit Count)熔線元件功能的Neobit IP線路，讀取的操作電壓更可低於1V以下。