Vishay Intertechnology控股80.4%的子公司，Siliconix Incorporated宣佈推出首批兩款功率MOSFET 器件。採用了WFET. 技術使産品的Qgd 值極低，而同時採用了TrenchFET.Gen II 技術使産品具有很低的rDS(on)值。

Siliconix表示，推出的兩款功率MOSFET 專門設計用於筆記本電腦、伺服器和VRM模組所使用的同步降壓（單相或多相配置）直流-直流轉換器及固定電信系統中的同步整流低邊運作。新型Si4368DY（PowerPAK. SO-8）及Si7668DP（SO-8）具備特有的3.6 m.（最大4.5 伏時）導通電阻及23 m nC . 的低rDS(on)xQgd 值，比同類MOSFET 産品的規格分別改善了25%及54%。此兩款産品均提供0.37 的極低Qgd/Qgs 比率，同樣比同類産品優越54% - 從而確保高“穿透”保護以及有助於保持對Qg 的核查，以保證降低開關損耗及直流-直流轉換器的高效性能。適用於Si4368DY 和Si7668DP 的最大柵極臨界電壓爲1.8 伏。Si7668DP 採用熱增強型PowerPAK SO-8 封裝，還可提供更低的熱阻及更大功率消散。

Vishay 的創新性WFET 技術通過在産品的矽槽底部使用一層加厚的柵極氧化層以降低Crss 和Qgd，從而盡可能減少對rDS(on) 性能的影響，並提高直流-直流轉換器的功效。隨著新産品的出現，設計人員現可在低邊使用Si4368DY 或Si7668DP，且在高邊使用以前推出的Si4390DY 或Si7390DP，從而生産出全WFET 技術的直流-直流轉換器。WFET 功率MOSFET 的低導通性及開關損耗直接使直流-直流轉換器的功效比標準應用的同類解決方案提高2%通過將WFET 技術應用於由Si4368DY 及Si7668DP 採用的最新高密度矽，Vishay 使電晶體密度達到每平方英寸3 億個元件，且導通電阻特低爲12-m /mm . 2，而且不影響開關性能。因此，新器件有助於設計更快、更輕、更小、熱量更低、功效更大、運行時間更長且具有更多耐用功能的産品。所有WFET 功率MOSFET 均100%通過Rg 測試以確保該産品能在滿足高頻直流-直流應用情況下運作。現可提供新型WFET TrenchFET Gen II 功率MOSFET 的樣品及批量。大批量定單的交貨期爲10 至12 周。數量爲10萬個的美國交貨單價爲1.25 美元起。