Vishay Intertechnology控股80.4%的子公司，Siliconix Incorporated宣布推出首批两款功率MOSFET 器件。采用了WFET. 技术使産品的Qgd 值极低，而同时采用了TrenchFET.Gen II 技术使産品具有很低的rDS(on)值。

Siliconix表示，推出的两款功率MOSFET 专门设计用于笔记本计算机、服务器和VRM模块所使用的同步降压（单相或多相配置）直流-直流转换器及固定电信系统中的同步整流低边运作。新型Si4368DY（PowerPAK. SO-8）及Si7668DP（SO-8）具备特有的3.6 m.（最大4.5 伏时）导通电阻及23 m nC . 的低rDS(on)xQgd 值，比同类MOSFET 産品的规格分别改善了25%及54%。此两款産品均提供0.37 的极低Qgd/Qgs 比率，同样比同类産品优越54% - 从而确保高“穿透”保护以及有助于保持对Qg 的核查，以保证降低开关损耗及直流-直流转换器的高效性能。适用于Si4368DY 和Si7668DP 的最大栅极临界电压爲1.8 伏。Si7668DP 采用热增强型PowerPAK SO-8 封装，还可提供更低的热阻及更大功率消散。

Vishay 的创新性WFET 技术通过在産品的硅槽底部使用一层加厚的栅极氧化层以降低Crss 和Qgd，从而尽可能减少对rDS(on) 性能的影响，并提高直流-直流转换器的功效。随着新産品的出现，设计人员现可在低边使用Si4368DY 或Si7668DP，且在高边使用以前推出的Si4390DY 或Si7390DP，从而生産出全WFET 技术的直流-直流转换器。WFET 功率MOSFET 的低导通性及开关损耗直接使直流-直流转换器的功效比标准应用的同类解决方案提高2%通过将WFET 技术应用于由Si4368DY 及Si7668DP 采用的最新高密度硅，Vishay 使晶体管密度达到每平方英寸3 亿个组件，且导通电阻特低爲12-m /mm . 2，而且不影响开关性能。因此，新器件有助于设计更快、更轻、更小、热量更低、功效更大、运行时间更长且具有更多耐用功能的産品。所有WFET 功率MOSFET 均100%通过Rg 测试以确保该産品能在满足高频直流-直流应用情况下运作。现可提供新型WFET TrenchFET Gen II 功率MOSFET 的样品及批量。大批量定单的交货期爲10 至12 周。数量爲10万个的美国交货单价爲1.25 美元起。