帳號:
密碼:
最新動態
 
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
Vishay推出新型雙向非同步單線路ESD保護二極體
 

【CTIMES/SmartAuto 劉筱萍報導】   2007年05月21日 星期一

瀏覽人次:【1180】

Vishay宣佈推出新型雙向非同步(BiAs)單線路ESD保護二極體,該器件採用超小型SOD923封裝且具有極低的電容。

雙向非同步(BiAs)單線路ESD保護二極體
雙向非同步(BiAs)單線路ESD保護二極體

憑藉0.6毫米×1.0毫米的占位面積以及0.4毫米的超薄厚度,VCUT0714A-02Z可在面向移動計算、移動通信、消費類、工業、汽車及醫療應用的電子設備中減小實現ESD保護所需的板面空間。

該新型器件在0 V時具有不到8pF的低典型電容以及不到0.1 µA的較低最大漏電電流。該ESD保護二極體的工作電壓範圍介於–7 V~+14 V或–14 V~+7 V。

VCUT0714A-02Z為一條資料線提供了符合IEC 61000-4-2(ESD)的 30 kV(空氣及觸點放電)瞬態保護,以及符合IEC 61000-4-5(雷電)的 4.5 A(tp=8/20µs)瞬態保護。該器件還符合RoHS 2002/95/EC及WEEE 2002/96/EC規範。

目前,採用小型SOD923封裝的新型ESD單線路保護二極體的樣品已可提供。量產批量將於2007年第二季度提供,大宗訂單的供貨週期為10~12周。

關鍵字: Vishay  電路保護裝置 
相關產品
Vishay推出獲沉浸式許可的新尺寸IHPT觸覺回饋致動器
Vishay固體鉭模製片式電容器為電子爆震系統增強性能
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二極體
Vishay液態鉭電容器為軍事和航電應用提供高電容和穩健性
Vishay推出小尺寸薄膜環繞片式電阻器提供高達1 W功率
  相關新聞
» 巴斯夫與Fraunhofer研究所共慶 合作研發半導體產業創新方案10年
» Vishay IGBT和MOSFET驅動器拉伸封裝可實現緊湊設計、快速開關
» 工研院IEK眺望2025:半導體受AI終端驅動產值達6兆元
» ASM攜手清大設計半導體製程模擬實驗 亮相國科會「科普環島列車」
» Vishay新型30 V和 500 V至 600 V額定電容器擴展上市
  相關文章
» 使用PyANSYS探索及優化設計
» 隔離式封裝的優勢
» MCU新勢力崛起 驅動AIoT未來關鍵
» 功率半導體元件的主流爭霸戰
» NanoEdge AI 解決方案協助嵌入式系統開發應用

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.18.190.217.167
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw