账号:
密码:
最新动态
 
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
 

【CTIMES/SmartAuto 劉筱萍报导】   2007年05月21日 星期一

浏览人次:【1181】

Vishay宣布推出新型双向异步(BiAs)单线路ESD保护二极管,该器件采用超小型SOD923封装且具有极低的电容。

双向异步(BiAs)单线路ESD保护二极管
双向异步(BiAs)单线路ESD保护二极管

凭借0.6毫米×1.0毫米的占位面积以及0.4毫米的超薄厚度,VCUT0714A-02Z可在面向移动计算、移动通信、消费类、工业、汽车及医疗应用的电子设备中减小实现ESD保护所需的板面空间。

该新型器件在0 V时具有不到8pF的低典型电容以及不到0.1 µA的较低最大漏电电流。该ESD保护二极管的工作电压范围介于–7 V~+14 V或–14 V~+7 V。

VCUT0714A-02Z为一条数据线提供了符合IEC 61000-4-2(ESD)的 30 kV(空气及触点放电)瞬态保护,以及符合IEC 61000-4-5(雷电)的 4.5 A(tp=8/20µs)瞬态保护。该器件还符合RoHS 2002/95/EC及WEEE 2002/96/EC规范。

目前,采用小型SOD923封装的新型ESD单线路保护二极管的样品已可提供。量产批量将于2007年第二季度提供,大宗订单的供货周期为10~12周。

關鍵字: Vishay  电路保护装置 
相关产品
Vishay推出获沉浸式许可的新尺寸IHPT触觉回??致动器
Vishay固体??模制片式电容器为电子爆震系统增强性能
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极体
Vishay液态??电容器为军事和航电应用提供高电容和稳健性
Vishay推出小尺寸薄膜环绕片式电阻器提供高达1 W功率
  相关新闻
» 巴斯夫与Fraunhofer光子微系统研究所共厌 合作研发半导体产业创新方案10年
» Vishay IGBT和MOSFET驱动器拉伸封装可实现紧凑设计、快速开关
» 工研院IEK眺??2025年半导体产业 受AI终端驱动产值达6兆元
» ASM携手清大设计半导体制程模拟实验 亮相国科会「科普环岛列车」
» Vishay新型30 V和 500 V至 600 V额定电容器扩展上市
  相关文章
» 使用PyANSYS探索及优化设计
» 隔离式封装的优势
» MCU新势力崛起 驱动AIoT未来关键
» 功率半导体元件的主流争霸战
» NanoEdge AI 解决方案协助嵌入式开发应用

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8B965VX3CSTACUKH
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw