意法半導體（ST）近日宣布，推出全新高性能雙極功率電晶體系列的首款産品。新款產品集多種卓越性能於一身，包括高電流量（current capability）、集極至射極阻隔電壓（collector-emitter blocking voltage）及超低集極至射極飽和電壓（ultra-low collector-emitter saturation voltage），是LED驅動、馬達驅動和繼電器驅動模組以及DC-DC轉換器的最佳選擇。

ST推出推出全新高性能雙極功率電晶體系列産品

3STR1630是一款採用最新低壓平面技術製造的NPN型電晶體。意法半導體在平面技術中加入雙金屬層製程，可將單元密度提高近一倍，而無需使用複雜的蝕刻設備。 除了將同一晶片上的電流量提高50%，雙金屬層製程並可為電晶體實現高達100V 的Vceo額定電壓、高達300kHz的工作開關頻率及有效降低40%的Vce(sat)電壓。