意法半导体（ST）近日宣布，推出全新高性能双极功率晶体管系列的首款産品。新款产品集多种卓越性能于一身，包括高电流量（current capability）、集极至射极阻隔电压（collector-emitter blocking voltage）及超低集极至射极饱和电压（ultra-low collector-emitter saturation voltage），是LED驱动、马达驱动和继电器驱动模块以及DC-DC转换器的最佳选择。

ST推出推出全新高性能双极功率晶体管系列産品

3STR1630是一款采用最新低压平面技术制造的NPN型晶体管。意法半导体在平面技术中加入双金属层制程，可将单元密度提高近一倍，而无需使用复杂的蚀刻设备。 除了将同一芯片上的电流量提高50%，双金属层制程并可为晶体管实现高达100V 的Vceo额定电压、高达300kHz的工作开关频率及有效降低40%的Vce(sat)电压。