NAND快閃記憶體控制晶片品牌慧榮科技今日宣布推出一系列最新款超高效能、低功耗的PCIe 4.0 NVMe 1.4控制晶片解決方案以滿足全方位巿場需求，包括專為高階旗艦型Client SSD設計的SM2264、為主流SSD市場開發的SM2267，以及適用於入門級新型小尺寸應用的SM2267XT DRAM-Less控制晶片。

慧榮科技最新款PCIe 4.0控制晶片解決方案展現絕佳效能和超低功耗，連續讀寫速度高達每秒 7,400/6,800 MB

慧榮最新款SSD控制晶片解決方案符合PCIe 4.0 NVMe 1.4規範，展現Gen4的超高效能和低功耗特性，結合慧榮獨家的錯誤碼修正(ECC)技術、資料路徑和EMI保護，提供完整、穩定的資料保護，滿足儲存設備所需的高效穩定需求。全球已有10家重量級客戶，包括NAND大廠和SSD OEM採用慧榮科技的Gen 4控制晶片搭載3D TLC或QLC NAND推出新品。

市調公司TrendFocus副總裁Don Jeanette表示：「眾所皆知慧榮科技長期以來一直是SSD控制晶片技術的領導者。在Gen 4規格日漸受到市場重視的同時，該公司於此時推出新品正好抓住最好的時機，而未來幾年Gen 4勢必成為PC、遊戲機及其他消費性裝置的標準規格。」

慧榮科技總經理苟嘉章表示：「PCIe Gen4將SSD的效能往上推升到另一個層次。我們最新款的PCIe 4.0 SSD控制晶片為消費級SSD應用提供一套完整的解決方案，能滿足全球PC OEM和SSD模組領導廠商的長遠需求。目前，多家OEM大廠客戶已開始導入我們最新款的Gen 4 SSD控制晶片在他們的新品開發中，其中已搭載SM2267控制晶片的SSD已進入量產階段。」

高效能和車用PCIe Gen 4 解決方案

SM2264主要瞄準高效能和車用級SSD應用，搭載四核心ARM Cortex-R8 CPU，內含四個16Gb/s PCIe資料匯流排，並支援八個NAND通道，每個通道最高可達每秒 1,600 MT。SM2264的先進架構採用12奈米製程，能夠大幅提升資料傳輸速率、降低功耗並提供更嚴密的資料保護，連續讀寫效能最高可達7,400MBs /6,800MBs，隨機讀寫速度最高達1,000K IOPS，提供使用者前所未有的超高效能體驗。ARM Cortex-R8架構提供高速多執行緒處理能力，可滿足新一代儲存應用所需的混合工作負載作業需求。

SM2264搭載慧榮科技最新第7代NANDXtend技術，結合慧榮科技專利的最新高效能4KB LDPC糾錯碼（ECC）引擎和RAID功能，為最新一代的3D TLC和QLC NAND 提供極佳的錯誤校正能力。

內建SR-IOV功能的SM2264也是車用級儲存裝置的理想選擇，最多可同時為八台虛擬機器(VM)提供直接的高速PCIe介面。SM2264目前進入客戶送樣階段。

主流和入門級PCIe Gen 4解決方案

慧榮科技的SM2267和SM2267XT滿足主流消費級和高性價比SSD應用需求，具備四個16Gb/s通道的PCIe和四個NAND通道，每個通道的最高速度為1,200MT/s，而連續讀寫效能更可高達每秒3,900/3,500 MB。

SM2267包含DRAM介面，而SM2267XT DRAM-less控制晶片可在不影響效能的前提下，滿足小尺寸產品設計需求。兩者均搭載NANDXtend ECC技術，並支援最新一代3D TLC和QLC NAND，提供高效能、高可靠性，最符合經濟效益的PCIe NVMe SSD解決方案。

SM2267和SM2267XT已進入量產階段。