ST日前發佈了256Mbit的NOR型快閃記憶體晶片，該元件採用已建構的每單元（cell）2位元架構，能在更小的裸晶尺寸中強化記憶體密度。ST的M30L0R8000x0是2位元/cell系列的首款元件，目前ST也正在研發128Mbit與512Mbit的晶片。

這款256Mbit的快閃記憶體是專為執行高效能程式碼與數據儲存所設計，特別是新一代3G行動電話市場，這類產品日趨複雜的應用以及多功能特性，都要求在更小的實體尺寸中整合更多記憶體。而2位元/cell技術的效能則能使記憶體晶片陣列的容量加倍，從而大幅減少裸晶與封裝尺寸。

M30L0R8000x0採用ST先進的0.13微米製程技術，並使用精巧的晶片TFBGA封裝，尺寸僅8x10mm。該元件可操作在1.8V供給電源下，並適用於3V I/O，其低功耗特性相常適合新一代行動電話的設計。在行動電話產業中，ST是記憶體──特別是1.8V NOR型快閃記憶體的主要供應商，新元件將強化ST在行動應用領域的產品完整性。

ST同時是多晶片封裝（Multi-Chip Package，MCP）元件供應商，能將多種不同的記憶體整合在單一封裝中，以改善可靠度並節省佔位面積。另外，針對3G手機，新晶片也能與PSRAM與LPSDRAM等產品整合使用。