東芝電子開發業界首款用於工業設備的2200V雙碳化矽（SiC）MOSFET模組MG250YD2YMS3 。新模組的漏極電流（DC）額定值為250A，並採用該公司的第三代SiC MOSFET晶片。適用於使用DC1500V的應用，如光伏發電系統、儲能系統等。如上所述的工業應用一般使用DC1000V或更低的電源，其功率元件多為1200V或1700V產品，而預計未來幾年DC1500V將會廣泛使用。

東芝首款2200V雙碳化矽（SiC）MOSFET模組—MG250YD2YMS3 有助於工業設備高效率和小型化。（source：TOSHIBA）

MG250YD2YMS3具有低導通損耗和0.7V（典型值）的低漏源導通電壓（感測）。它還具有較低的開啟和關閉開關損耗，分別為14mJ（典型值）和11mJ（典型值） ，與典型的矽（Si）IGBT相比，降低約90%，這些特性有助於提高設備效率。實現低開關損耗還可以將傳統的三電平電路替換為模塊數較少的兩電平電路，從而有助於設備的小型化。

因應工業設備高效率和小型化的需求，MG250YD2YMS3適用於可再生能源發電系統（光伏發電系統等）、儲能系統、工業設備用電機控制設備以及高頻DC-DC轉換器等工業設備領域。MG250YD2YMS3目前已供貨。