Cambridge GaN Devices（CGD）今日宣布推出第二代的 ICeGaN 650 V氮化鎵 HEMT 系列產品，提供領先業界的耐用性、易於使用及最高效率等特色。H2 系列 ICeGaN HEMT 採用 CGD 的智慧閘極介面，幾乎消除一般 E 模式 GaN 的各種弱點，大幅加強過電壓耐用性、提供更高的抗雜訊閾值，以及提升 dV/dt 抑制和 ESD 保護效果。

新型 650 V H2 ICeGaN 電晶體與前代裝置相同，是以類似矽 MOSFET 的方式驅動，無需使用效率不彰的複雜電路，而是採用市面上供應的工業閘極驅動器。

最後 H2 ICeGaN HEMT 的 QG 比矽製零件低 10 倍，QOSS 則低 5 倍，因此 H2 ICeGaN HEMT 能夠在高切換頻率情況下大幅減少切換損耗，有助於縮減尺寸及重量。這實現了領先同類產品的效率及效能，在 SMPS 應用中比業界最佳的矽 MOSFET 整整高出 2%。

GIORGIA LONGOBARDI執行長暨共同創辦人：「CGD 已透過 H2 系列 ICeGaN 建立創新領導定位。維吉尼亞理工大學（Virginia Tech）所做的獨立研究已經證實 ICeGaN 是業界最穩定耐用的 GaN 裝置；至於在易用程度方面，則可像標準矽 MOSFET 一樣驅動，因此消除了會減緩市場接受速度的學習曲線問題。GaN 的效率已經廣為人知，而 ICeGaN 在滿載範圍內表現都相當出色。」

ICeGaN H2 系列採用創新的 NL3（無載及輕載）電路，與 GaN 開關一同於晶片內建整合，提供創紀錄的低功率損耗。先進的箝位結構搭配整合式米勒箝位（Miller Clamp）電路（同樣內建於晶片），無需使用負閘極電壓，因此可實現真正的零電壓關斷，並提升動態 RDS（ON）效能。

這類 E 模式（通常為關閉）單晶片 GaN HEMT 包含單體整合介面及保護電路，提供無可比擬的閘極可靠度及設計簡易度。最後電流感測功能可減少功率耗散，並可直接與接地連接，實現最佳的冷卻及 EMI。

GIORGIA LONGOBARDI執行長暨共同創辦人：「CGD 已克服一般減緩採用新型技術的所有挑戰。此外，我們現在也做好準備，透過成熟供應鏈供應 H2 系列 ICeGaN 電晶體以滿足大眾市場。」