Cambridge GaN Devices（CGD）今日宣布推出第二代的 ICeGaN 650 V氮化?? HEMT 系列产品，提供领先业界的耐用性、易於使用及最高效率等特色。H2 系列 ICeGaN HEMT 采用 CGD 的智慧闸极介面，几??消除一般 E 模式 GaN 的各种弱点，大幅加强过电压耐用性、提供更高的抗杂讯??值，以及提升 dV/dt 抑制和 ESD 保护效果。

新型 650 V H2 ICeGaN 电晶体与前代装置相同，是以类似矽 MOSFET 的方式驱动，无需使用效率不彰的复杂电路，而是采用市面上供应的工业闸极驱动器。

最後 H2 ICeGaN HEMT 的 QG 比矽制零件低 10 倍，QOSS 则低 5 倍，因此 H2 ICeGaN HEMT 能够在高切换频率情况下大幅减少切换损耗，有助於缩减尺寸及重量。这实现了领先同类产品的效率及效能，在 SMPS 应用中比业界最隹的矽 MOSFET 整整高出 2%。

GIORGIA LONGOBARDI执行长暨共同创办人：「CGD 已透过 H2 系列 ICeGaN 建立创新领导定位。维吉尼亚理工大学（Virginia Tech）所做的独立研究已经证实 ICeGaN 是业界最稳定耐用的 GaN 装置；至於在易用程度方面，则可像标准矽 MOSFET 一样驱动，因此消除了会减缓市场接受速度的学习曲线问题。GaN 的效率已经广为人知，而 ICeGaN 在满载范围内表现都相当出色。」

ICeGaN H2 系列采用创新的 NL3（无载及轻载）电路，与 GaN 开关一同於晶片内建整合，提供创纪录的低功率损耗。先进的箝位结构搭配整合式米勒箝位（Miller Clamp）电路（同样内建於晶片），无需使用负闸极电压，因此可实现真正的零电压关断，并提升动态 RDS（ON）效能。

这类 E 模式（通常为关闭）单晶片 GaN HEMT 包含单体整合介面及保护电路，提供无可比拟的闸极可靠度及设计简易度。最後电流感测功能可减少功率耗散，并可直接与接地连接，实现最隹的冷却及 EMI。

GIORGIA LONGOBARDI执行长暨共同创办人：「CGD 已克服一般减缓采用新型技术的所有挑战。此外，我们现在也做好准备，透过成熟供应链供应 H2 系列 ICeGaN 电晶体以满足大众市场。」