為了滿足電力電子系統設計趨向追求更先進的效能和功率密度，英飛凌科技（Infineon）在 25-150 V 等級產品中推出全新源極底置 3.3 x 3.3 mm² PQFN 系列，包括有底部冷卻（BSC）和雙面冷卻（DSC）兩個版本。新品系列從元件層級大幅強化，提供DC-DC電源轉換解決方案，適用於伺服器、電信、OR-ing、電池保護、電動工具、充電器應用的系統。

英飛凌OptiMOS源極底置功率MOSFET bb系列新增PQFN 雙面冷卻 25-150 V 產品組合

新產品組合結合英飛凌最新的MOSFET技術與最先進的封裝，將系統效能提升到新層次。在源極底置（SD）概念中，MOSFET晶粒源極接點翻轉朝向封裝的底面，然後焊接到 PCB。此外，此概念還包含改善晶片頂部的汲極接點設計，以及領先市場的晶片封裝面積比。

隨著系統外形尺寸不斷縮小，有兩項關鍵至關重要：減少功率損耗和最佳化散熱管理。與同級最佳的 PQFN 3.3 x 3.3 m² 汲極向下裝置相比，新系列導通電阻 （RDS（on）） 大幅改善了 25%。英飛凌的 OptiMOS 源極底置 PQFN 具有雙面冷卻功能，可提供強化的熱介面，將功率損耗從開關轉移到散熱器。雙面冷卻版本用最直接的方式將電源開關連接到散熱器，其功率消耗能力較底部冷卻源極底置版本提高多達三倍。

兩種不同的封裝版本均為 PCB 佈線帶來最佳化的彈性。傳統的標準閘極版本可快速輕鬆地修改現有的汲極向下設計。中心閘極（CG）版本為並聯裝置開闢全新可能性，將驅動器到閘極間的連接盡可能地縮至最短。整個OptiMOS源極底置PQFN 3.3 x 3.3 mm² 25-150 V 產品系列皆擁有高達 298 A 的卓越連續電流能力，能夠讓

系統發揮最高效能。

OptiMOS 源極底置 PQFN 3.3 x 3.3 mm² 25-150 V產品系列包含標準閘極和中心閘極兩種尺寸版本，均採用雙面冷卻封裝，即日起接受訂購。