为了满足电力电子系统设计趋向追求更先进的效能和功率密度，英飞凌科技（Infineon）在 25-150 V 等级产品中推出全新源极底置 3.3 x 3.3 mm² PQFN 系列，包括有底部冷却（BSC）和双面冷却（DSC）两个版本。新品系列从元件层级大幅强化，提供DC-DC电源转换解决方案，适用於伺服器、电信、OR-ing、电池保护、电动工具、充电器应用的系统。

英飞凌OptiMOS源极底置功率MOSFET bb系列新增PQFN 双面冷却 25-150 V 产品组合

新产品组合结合英飞凌最新的MOSFET技术与最先进的封装，将系统效能提升到新层次。在源极底置（SD）概念中，MOSFET晶粒源极接点翻转朝向封装的底面，然後焊接到 PCB。此外，此概念还包含改善晶片顶部的汲极接点设计，以及领先市场的晶片封装面积比。

随着系统外形尺寸不断缩小，有两项关键至关重要：减少功率损耗和最隹化散热管理。与同级最隹的 PQFN 3.3 x 3.3 m² 汲极向下装置相比，新系列导通电阻 （RDS（on）） 大幅改善了 25%。英飞凌的 OptiMOS 源极底置 PQFN 具有双面冷却功能，可提供强化的热介面，将功率损耗从开关转移到散热器。双面冷却版本用最直接的方式将电源开关连接到散热器，其功率消耗能力较底部冷却源极底置版本提高多达三倍。

两种不同的封装版本均为 PCB 布线带来最隹化的弹性。传统的标准闸极版本可快速轻松地修改现有的汲极向下设计。中心闸极（CG）版本为并联装置开辟全新可能性，将驱动器到闸极间的连接尽可能地缩至最短。整个OptiMOS源极底置PQFN 3.3 x 3.3 mm² 25-150 V 产品系列皆拥有高达 298 A 的卓越连续电流能力，能够让

系统发挥最高效能。

OptiMOS 源极底置 PQFN 3.3 x 3.3 mm² 25-150 V产品系列包含标准闸极和中心闸极两种尺寸版本，均采用双面冷却封装，即日起接受订购。