英飛凌科技推出具 650 V 阻斷電壓，採獨立封裝的 650 V CoolSiC Hybrid IGBT 產品組合。新款 CoolSiC 混合型產品系列結合了 650 V TRENCHSTOP 5 IGBT 技術的主要優點及共同封裝單極結構的CoolSiC 蕭特基二極體。新產品具有出色的切換頻率和更低的切換損耗，特別適用於 DC-DC 電源轉換器和功因校正 (PFC)。其常見應用包括：電池充電基礎設施、能源儲存解決方案、光伏逆變器、不斷電系統 (UPS)，以及伺服器和電信用交換式電源供應器 (SMPS)。

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由於續流 SiC 蕭特基障礙二極體與 IGBT 採用共同封裝，在 dv/dt 和 di/dt 值幾乎不變下，CoolSiC Hybrid IGBT 運作時能大幅降低切換損耗。與標準的矽二極體解決方案相比，新產品可降低多達 60% 的 Eon 和 30% 的 Eoff。或者，也可在輸出功率保持不變下，提高切換頻率至少 40%。較高的切換頻率有助於縮小被動元件的尺寸，進而降低物料清單成本。該 Hybrid IGBT 可直接替代 TRENCHSTOP 5 IGBT，無需重新設計，便能使每10 kHz 切換頻率提升 0.1% 的效率。

此產品系列可作為全矽解決方案和高效能 SiC MOSFET 設計之間的銜接，與全矽設計相比，Hybrid IGBT 可提升電磁相容性和系統可靠性。由於肖特基障礙二極體的單極性，使二極體能快速切換，而不會有嚴重的振盪和寄生導通的風險。此系列提供 TO-247-3 或 TO-247-4 針腳的 Kelvin Emitter 封裝供客戶選擇。Kelvin Emitter 封裝的第四針腳可實現超低電感的閘極射極控制迴路，並降低總切換損耗。