英飞凌科技推出具 650 V 阻断电压，采独立封装的 650 V CoolSiC Hybrid IGBT 产品组合。新款 CoolSiC 混合型产品系列结合了 650 V TRENCHSTOP 5 IGBT 技术的主要优点及共同封装单极结构的CoolSiC 萧特基二极体。新产品具有出色的切换频率和更低的切换损耗，特别适用於 DC-DC 电源转换器和功因校正 (PFC)。其常见应用包括：电池充电基础设施、能源储存解决方案、光伏逆变器、不断电系统 (UPS)，以及伺服器和电信用交换式电源供应器 (SMPS)。

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由於续流 SiC 萧特基障碍二极体与 IGBT 采用共同封装，在 dv/dt 和 di/dt 值几??不变下，CoolSiC Hybrid IGBT 运作时能大幅降低切换损耗。与标准的矽二极体解决方案相比，新产品可降低多达 60% 的 Eon 和 30% 的 Eoff。或者，也可在输出功率保持不变下，提高切换频率至少 40%。较高的切换频率有助於缩小被动元件的尺寸，进而降低物料清单成本。该 Hybrid IGBT 可直接替代 TRENCHSTOP 5 IGBT，无需重新设计，便能使每10 kHz 切换频率提升 0.1% 的效率。

此产品系列可作为全矽解决方案和高效能 SiC MOSFET 设计之间的衔接，与全矽设计相比，Hybrid IGBT 可提升电磁相容性和系统可靠性。由於肖特基障碍二极体的单极性，使二极体能快速切换，而不会有严重的振荡和寄生导通的风险。此系列提供 TO-247-3 或 TO-247-4 针脚的 Kelvin Emitter 封装供客户选择。Kelvin Emitter 封装的第四针脚可实现超低电感的闸极射极控制??路，并降低总切换损耗。