在先端科技的蓬勃發展下，MEMS元件已成為智慧產品的主要核心。為降低企業投入MEMS開發時，因故有分析技術難以找出MEMS真正失效原因，iST集團-台灣宜特今(10/15)宣布，成功建構出MEMS G-Sensor的標準失效分析流程。此流程亦被許多公司實際採用，目前全台開發MEMS G-sensor的公司中，約達九成在iST宜特幫助下解決失效問題。

在iST宜特MEMS標準失效分析流程下，可精準看出失效G-Sensor元件的真正失效點。

iST獨家研發的MEMS G-Sensor失效分析標準流程，更正式通過全球最具代表性，電子元件檢測失效分析技術研討會－ISTFA的認可，成為全台第一家且是唯一一家擁有MEMS研究團隊的實驗室。

iST觀察發現，許多公司欲了解MEMS元件的失效狀況時，由於對其結構的認知度、掌握度不夠，因此以傳統方式做開蓋(De-cap)觀察，容易造成元件汙染。

此外，iST進一步指出，因元件為懸浮結構，以外力移除時易產生毀損。兩造影響下，容易造成元件汙染和應力破壞，不但沒有找出真因，反而製造更多失效盲點。

為克服此問題，iST今年已成功開發出MEMS無污染的De-cap技術，結合無應力的元件移除技術，以非破壞方式保留結構原貌，避開機械應力和汙染產生的非真因失效。目前已幫助三十多家MEMS設計、製造與封裝企業，對症下藥地找出失效點並成功改善，搶攻市場先機。

iST集團營運長 林正德指出，2007年預見此市場需求後即投入研發，全面佈局MEMS等新興產品失效分析技術。這幾年在大量實務經驗深耕下，更於今年建立出MEMS標準失效分析流程。

此技術，iST集團台灣總部技術經理 黃君安將於11月6日在美國加州聖荷西的國際失效分析暨測試研討會(ISTFA)上發表。歡迎業界先進舊雨新知前來交流。