美商聯邦先進半導體(USTC)19日宣佈，該公司已成功研發100萬位元(1M)磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)技術。該公司並與交通大學簽約，就MRAM高階應用、材料研發做進一步合作。

聯邦先進半導體董事長林鴻聯表示，MRAM技術早於1980年代中期就受到美國政府重視，目前已有小容量的MRAM產品成功運用於軍事及太空科技等用途上，未來將可廣泛應用在資訊、通訊及消費性電子產品上。由於MRAM若能完成商品化，將深具市場潛力，美、日與歐洲著名半導體大廠皆有投入MRAM產品的研發。