美商联邦先进半导体(USTC)19日宣布，该公司已成功研发100万位(1M)磁阻式随机存取内存(MRAM)技术。该公司并与交通大学签约，就MRAM高阶应用、材料研发做进一步合作。

联邦先进半导体董事长林鸿联表示，MRAM技术早于1980年代中期就受到美国政府重视，目前已有小容量的MRAM产品成功运用于军事及太空科技等用途上，未来将可广泛应用在信息、通讯及消费性电子产品上。由于MRAM若能完成商品化，将深具市场潜力，美、日与欧洲著名半导体大厂皆有投入MRAM产品的研发。