帳號:
密碼:
最新動態
 
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
SP推出首款DDR5 4800筆記型超頻記憶體 提高可靠度與性能
 

【CTIMES/SmartAuto 劉昕報導】   2022年05月06日 星期五

瀏覽人次:【21494】

SP廣穎電通正式推出首款DDR5 4800筆記型超頻記憶體,DDR5具備高速度/低功耗特性,已是未來市場應用趨勢。SP廣穎首款新世代DDR5記憶體擁4800MHz超高頻率,以及最高32GB的容量,大幅升級使用者體驗。

SP廣穎電通推出首款DDR5 4800筆記型超頻記憶體快速多工穩定高效
SP廣穎電通推出首款DDR5 4800筆記型超頻記憶體快速多工穩定高效

DDR5 SODIMM記憶體,相較DDR4,無論是在速度、容量、還是可靠性均有顯著提升,擁4800MHz超高頻率,比DDR4標準頻率上限3200MHz提升了50%,擁更快的傳輸速度與更高的頻寬,提供多核心CPU更快速的響應速度。

1.1V超低工作電壓,降低單位頻寬功耗,節能省電;另配置電源管理晶片(PMIC-Power Management IC),將電源管理從主機板移至記憶體上,有效控制系統的電源負載,提供更穩定的電源供應,並提高記憶體的可靠度和性能。

DDR5 SODIMM採用8個Bank群組組合而成的32 Bank架構,比DDR4由4個Bank群組組成的16 Bank架構,多出1倍的存取可用性;簡言之,DDR5的每顆IC能存取的數據為DDR4的兩倍;且不同於DDR4在更新時無法執行其他操作,DDR5透過Same Bank Refresh功能,讓系統可以在更新某些Bank的時候,存取其他Bank的資料,可擁更多的儲存空間,使電腦順暢同時多工運作。

DDR5 SODIMM的Burst Length(DRAM單個讀寫指令可存取的資料量)從DDR4的8增加到16,為DDR4的兩倍,是增加效能的關鍵,這數字決定單一讀寫指令可存取的資料量。

DDR5 SODIMM將On-die ECC糾錯功能直接加入顆粒晶片中,無須透過CPU進行修正,能自行計算並修正記憶體顆粒內部資料存取時產生的錯誤,為系統提供更穩定可靠的運作表現,確保資料精準傳輸。

DDR5 SODIMM的雙通道結構讓單次資料存取寬度變成32位元,擁2組獨立定址的32-Bit子通道。也就是說,DDR5可一次填充處理器的64 Byte快取記憶體區塊,是DDR4兩倍,使電腦多核心應用可有更高的記憶體頻寬,傳輸更多資料,效率大幅提升。

關鍵字: SP廣穎電通 
相關產品
SP廣穎電通推出可攜式遊戲機存儲遊戲專用的microSDXC記憶卡
  相關新聞
» 蘋果AirTag與航空公司合作 行李定位資訊直接分享
» 研究:高階手機市場淪為中國手機品牌爭霸戰
» 芝加哥大學開發新水凝膠半導體材料
» 英飛凌2024會計年度營收利潤雙增 預期2025年市場疲軟
» 英飛凌推出全球首款易於回收的非接觸式支付卡技術
  相關文章
» SiC MOSFET:意法半導體克服產業挑戰的顛覆性技術
» 意法半導體的邊緣AI永續發展策略:超越MEMS迎接真正挑戰
» 光通訊成長態勢明確 訊號完整性一測定江山
» 分眾顯示與其控制技術
» 新一代Microchip MCU韌體開發套件 : MCC Melody簡介

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.3.142.201.91
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw