国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日宣布，扩展其封装系列，推出新款的PQFN 2mm x 2mm封装，且配合IR最新的HEXFET MOSFET硅技术，为一系列的低功耗应用，包括智能手机、平板计算机、摄录机、数字相机、笔记本计算机、服务器和网络通讯设备，提供超小型、高密度和高效率的解决方案。

IR推出新款超小型PQFN2x2功率MOSFET

新款的PQFN2x2组件分别适用于20V、25V和30V，还有标准或逻辑水平栅极驱动器选择。这些组件只需要4mm2的占位空间，并采用IR最新的低电压N-信道和P-信道硅技术，从而达到极低的导通电阻（RDS(on)），以及等同PQFN3.3x3.3或PQFN5x6封装的高功率密度。

这个PQFN2x2系列包括为负载开关的高侧而优化的P-信道组件，带来一个更简单的驱动解决方案。同时，新组件的厚度少于1 mm，使它们与现有的表面黏着技术兼容，并且拥有行业标准的占位空间，还符合电子产品有害物质限制指令（RoHS）。