针对趋动行动通讯，设计及制造高效能无线电系统及解决方案的厂商RFMD发表其Gallium Nitride (GaN)高电子移动率晶体管(High Electron Mobility Transistor HEMT)高功率晶体管产品系列，并宣布提供样品予手机厂商及WiMAX基地台客户。此晶体管样品之供应，代表RFMD基准0.5um GaN高功率晶体管的进一步成就。

RFMD基础架构产品事业群副总裁Jeff Shealy表示，「此市场是RFMD主要的成长区域，其发挥了我们既有的技术及生产专长，藉由此基准GaN制程技术的成就，我们将为客户提供高功率、宽带解决方案，而此方案将满足客户新一代无线架构，在更高成本效益及更具效率方面，不断成长的部署需求。」

RFMD共同创办人、技术长及企业副总裁Bill Pratt表示，「针对依恃最大功率及效率的手机基础架构及WiMAX基地台OEM而言，RFMD的GaN晶体管比硅晶LDMOS装置提供更高的at-package匹配阻抗、更高的功率密度及更广的带宽效能，此外，RFMD是GaAs的晶圆制造商，我们将能运用位于北卡罗莱纳州Greensboro的高量化制造环境，达到最佳的成本优势。」

此高功率装置，提供绝佳的峰值汲极，于UMTS时效益达 67%，WiMAX频带时则达 60%。RFMD具备16dB之高增益、于28V时高功率密度达 4W/mm、以及1,000 小时的高温度可靠性。