国际整流器公司(IR)，推出专为笔记簿型计算机、服务器CPU电源、图像，以及内存稳压器应用的同步降压转换器设计而优化的全新30V DirectFET MOSFET系列。

/news/2008/05/28/2331239502.jpg

新组件系列结合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装技术，较标准SO-8组件的占位面积少40%，更采用了0.7mm纤薄设计。新一代30V器件的导通电阻(RDS(on))非常低，也同时把闸电荷(Qg)和闸漏极电荷(Qgd)减至最少，并以极低的封装电感来减少传导与开关损耗。

IR台湾分公司总经理朱文义表示：「凭着我们作为业界标准的功率MOSFET硅组件和DirectFET封装，新的30V组件拥有非常低的RDS(on)、Qg和Qgd，为全部负载提高效率与温度效能。这让操作可达致每相位25A，同时又可以维持单一控制和单一同步MOSFET的小巧体积。」

IRF6724M、IRF6725M、IRF6726M，以及IRF6727M的特点是拥有极低的RDS(on)，使它们十分适合高电流同步MOSFET。这些新组件与上一代组件采用通用的MT和MX占位面积，所以当有应用须要提高电流水平或改善温度效能时，能轻易由旧组件迈向使用新组件。

IRF6721S、IRF6722S与IRF6722M的极低Qg和Qgd，则让这些组件适用于控制MOSFET。它们并备有SQ、ST和MP占位面积选择，使设计可以更具灵活性。