账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
东芝针对输出型光耦合器推出新封装选项SO6L(LF4)
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2018年04月03日 星期二

浏览人次:【2882】

东芝电子元件及储存装置株式会社宣布为扩大原输出型光耦合器阵容,即日起为SO6L系列推出全新封装类型;新封装SO6L(LF4)为宽引脚间距封装,SO6L(LF4)封装爬电距离为8mm,其符合产业规格标准。

6款新产品阵容可适用於高速通讯或IGBT/MOSFET驱动应用
6款新产品阵容可适用於高速通讯或IGBT/MOSFET驱动应用

目前东芝已推出8款采用SO6L(LF4)封装的光耦合器:其中3款用高速通讯应用,5款用於IGBT/MOSFET驱动应用。现行又增加6款SO6L(LF4)共14款光耦合器产品阵容。

SO6L(LF4)在封装尺寸上与SDIP6(F型)相互相容,不过後者也提供宽引脚距离选项,最大封装高度为4.15mm。SO6L(LF4)封装最大高度为2.3mm,与SDIP6(F型)相比封装厚度约薄45%。薄型封装有助於缩小系统尺寸并有利於安装高度受限的PCB版。

新封装SO6L系列可应用於高速通讯光耦合器 (工厂网路/数位介面/IO介面板/PLC/智慧功率模组驱动)及IGBT/MOSFET驱动光耦合器(通用逆变器/空调变频器/太阳能逆变器等)。

东芝未来将陆续推出更多可直接取代现有SDIP6(F型)输出型光耦合器,为满足不同客户之需求,也将依据未来市场趋势扩展多样化光耦合器及光继电器产品的组合开发。

根据2015年及2016年度销售额, Gartner最新市场报告肯定东芝为光耦合器制造商的领先地位。 2016会计年度,东芝相关产品占有23%的销售市场版图。(资料来源:Gartner「市占率:2016年全球半导体设备和应用」,2017年3月30日)

關鍵字: 光耦合器  IGBT  MOSFET  东芝 
相关产品
Littelfuse超级结X4-Class 200V功率MOSFET具有低通态电阻
ROHM第4代1200V IGBT实现顶级低损耗和高短路耐受能力
Toshiba推出1200 V第三代碳化矽肖特基栅极二极体新产品
Littelfuse推出高频应用的双5安培低压侧MOSFET栅极驱动器
ROHM推出车电Nch MOSFET 适用於车门、座椅等多种马达及LED头灯应用
  相关新闻
» 茂纶携手数位资安共同打造科技新未来
» 英国公司推出革新技术 将甲??转化为高品质石墨烯
» 韩国研发突破性半导体封装技术 大幅提升产能并降成本
» 美国联邦通讯委员会发布新规定 加速推动C-V2X技术
» DigiKey第16届年度DigiWish隹节大放送活动即将开始
  相关文章
» ChipLink工具指南:PCIe® 交换机除错的好帮手
» 创新光科技提升汽车外饰灯照明度
» 以模拟工具提高氢生产燃料电池使用率
» 掌握石墨回收与替代 化解电池断链危机
» SiC MOSFET:意法半导体克服产业挑战的颠覆性技术

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BT26Q1I2STACUKN
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw