账号:
密码:
最新动态
 
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
 

【CTIMES/SmartAuto 陳復霞整理报导】   2017年11月16日 星期四

浏览人次:【5955】

[东京讯](BUSINESS WIRE)东芝电子元件及储存装置株式会社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, TDSC)推出一款采用小型2.54SOP4封装的新型光继电器TLP3145,该光继电器关闭状态输出端电压达200V,导通电流为0.4A。

新型光继电器TLP3145采用最新的MOSFET沟槽制程可取代机械继电器。(source:TDSC)
新型光继电器TLP3145采用最新的MOSFET沟槽制程可取代机械继电器。(source:TDSC)

该新IC采用最新的U-MOS VIII MOSFET沟槽制程制造,具备200V的关闭状态输出端电压和最高达0.4A的可控导通电流。这使得TLP3145适用於取代采用100V AC电路控制的1A机械继电器。采用尺寸更小且无需继电器驱动器的光继电器取代机械继电器,有助於提高系统可靠性并为节省空间型设计提供支援。

此外,TLP3145额定工作温度可达摄氏110度(最大值),更易於在系统级散热设计中保证一定的温度裕度。新型光继电器的应用层面包括工业设备(PLC、I/O介面)、建筑自动化系统、半导体测试器等领域。新型光继电器TLP3145即日起量产出货。

根据2015年和2016年的销售额,Gartner最新市场报告肯定了东芝作为光耦合器领先制造商的地位。2016会计年度,东芝相关产品占有23%的销售市场版图。(资料来源:Gartner, Inc.「市占率:2016年全球半导体设备和应用」,2017年3月30日)

产品特色

·SOP小型封装:2.54SOP4 2.54mm(脚距),2.1mm(高侧)

·常开型(1-Form-A/1a)

·关闭状态输出端电压:200V(最大值)

·导通电流0.4A(直流)、1.2A(脉冲电流)

·工作温度:摄氏110度(最大值)

·安全标准:UL (UL1577)、隔离电压1500Vrms(最小值)

關鍵字: 光继电器  MOSFET  沟槽制程  東芝電子  TDSC  晶体管 
相关产品
Littelfuse推出高频应用的双5安培低压侧MOSFET栅极驱动器
ROHM推出车电Nch MOSFET 适用於车门、座椅等多种马达及LED头灯应用
英飞凌CoolSiC MOSFET 400 V重新定义 AI 伺服器电源功效
英飞凌针对汽车应用推出最低导通电阻 80 V MOSFET OptiMOS 7
英飞凌新款MOSFET优化高功率密度、效率和系统可靠性
  相关新闻
» 巴斯夫与Fraunhofer光子微系统研究所共厌 合作研发半导体产业创新方案10年
» 工研院IEK眺??2025年半导体产业 受AI终端驱动产值达6兆元
» ASM携手清大设计半导体制程模拟实验 亮相国科会「科普环岛列车」
» SEMI提4大方针增台湾再生能源竞争力 加强半导体永续硬实力
» 国科会促产创共造算力 主权AI产业专区落地沙仑
  相关文章
» 使用PyANSYS探索及优化设计
» 隔离式封装的优势
» MCU新势力崛起 驱动AIoT未来关键
» 功率半导体元件的主流争霸战
» NanoEdge AI 解决方案协助嵌入式开发应用

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8B8BR5AT8STACUK9
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw