英飞凌(Infineon) 日前推出最新 CoolSiC 1200V SiC JFET 系列，进一步强化英飞凌在 SiC市场的领先地位。此一革命性的全新产品系列展现英飞凌在 SiC 技术研发领域超过十年的经验，同时拥有高质量、可大量生产的特点。

JFET 采用单片整合二极管，切换效能与SiC Schottky 二极管不相上下

英飞凌高压功率转换产品部门主管 Jan-Willem Reynaerts 表示：「此次推出的 CoolSiC 同样也是具革命性、高度创新的技术，尤其能让太阳能逆变器的效能达到新的水平。 运用英飞凌最新的 SiC JFET 技术，客户便能进一步打造未来拯救气候的解决方案。」

相较于 IGBT，全新的 CoolSiC 1200V SiC JFET 大幅降低切换耗损，可应用更高的切换频率，不需牺牲系统整体的效率。因此能够使用体积更小的被动组件，进一步缩小整体解决方案的体积与重量，并降低系统成本。换句话说，该解决方案能够让相同体积的逆变器达到更高的输出功率。

为确保恒开的 JFET 技术的安全性及使用方便性，英飞凌开发了一项名为直驱技术 (Direct Drive Technology) 的概念。JFET 应用的这个概念结合了外部的低电压 MOSFET 及专用的驱动 IC，确保系统能安全开启，而且能在安全且受控制的情况下切换。

CoolSiC JFET 采用单片整合二极管，切换效能与外接式的 SiC Schottky 二极管不相上下，此一搭配组合能让效率、可靠性、安全性及使用方便性达到颠峰。