150V同步降压DC/DC控制器不需外部涌浪保护元件
|
‧可调输入过压锁住 |
亚德诺半导体(ADI)旗下的凌力尔特(Linear Technology)日前推出高压非隔离式同步降压开关稳压器控制器LTC7801,该元件采用精小的24接脚封装,以用来驱动全N通道MOSFET功率级。其4V至140V (150V绝对最大值) 输入电压范围专为采用高输入电压电源或具有高电压涌浪的输入操作而设计,因此不需增设外部涌浪抑制元件。 LTC7801 在输入电压降至低至4V时可继续以高达 100% 的工作周期操作,因此非常适合交通运输、工业控制、机器人和资通讯应用。
在输出电流高达20A的条件下,输出电压可设定在0.8V至60V,并具有高达 96% 的效率。在输出电压处于调节状态时,该元件在睡眠模式下仅汲取40μA,非常适合始终保持导通(always-on)的系统应用。内部充电泵允许 100% 的工作周期及于压差条件下操作,当在放电期间以电池供电时,这是一个实用的特性。
LTC7801的1? N通道MOSFET闸极驱动器可在5V至10V的范围内调节,以允许使用逻辑或标准位准MOSFET来达到最高效率。为在高输入电压应用中防止晶片内产生高功耗,LTC7801具有一个NDRV针脚,以驱动一任选外部N通道MOSFET闸极,此MOSFET并作为向IC供电的低压差线性稳压器。 EXTVCC针脚允许LTC7801从开关稳压器的输出或其他的可用电源供电,因此可降低功耗并提升效率。LTC7801可操作于50kHz至900kHz可选固定频率范围内,也可同步至75kHz至 850kHz的外部时脉。当轻负载时,使用者可以选择强制连续运行、脉冲跳略或低涟波高载模式(Burst Mode)运行。其电流模式架构提供方便的回路补偿、快速暂态响应和杰出的电压稳定性。电流感测可透过感测输出电感(DCR)两端的压降来完成以达到最高效率,或可透过使用一可选的感测电阻来完成。很短的80ns最小导通时间在高开关频率时允许高降压比。
在过载情况下,电流折返限制了MOSFET产生的热量。其他特点包括内建的自举二极体、电源良好输出讯号、可调输入过压锁住和软启动。
在过载情况下,电流折返限制了MOSFET产生的热量。其他特点包括内建的自举二极体、电源良好输出讯号、可调输入过压锁住和软启动。
产品特色
‧宽广输入电压范围:4V 至 140V (150V 绝对最大值)
‧宽广输出电压范围:0.8V 至 60V
‧输出电流高达 20A
‧同步整流实现高达 96% 的效率
‧40μA低静态电流
‧100% 工作周期能力
‧可调的 5V 至 10V 闸极驱动电压以用于逻辑位准或标准门槛 MOSFET
‧可调的 5V 至 10V 闸极驱动电压以用于逻辑位准或标准门槛 MOSFET
‧很短的 80ns 最小导通时间用于实现高降压比
‧可在轻负载时选择连续、脉冲跳略或低涟波高载模式运行
‧50kHz 至 900kHz 可选固定操作频率
‧75kHz 至 850kHz PLL 可同步操作频率
‧电流模式控制实现快速暂态响应和简易的回路补偿
‧电流模式控制实现快速暂态响应和简易的回路补偿