Magnachip半导体推出专为正温度系数设计的1200V和650V绝缘栅双极晶体管（IGBT）（PTC）电动汽车 （EV）加热器。

Magnachip瞄准电动汽车市场，推出采用先进场截止沟槽技术的新型 1200V 和 650V IGBT。（source：Magnachip）

新推出的AMBQ40T120RFRTH（1200V）和AMBQ40T65PHRTH（650V）基於Magnachip尖端的场截止沟槽技术，可提供10μs的最短短路耐受时间。这种耐用性使PTC加热器能够在过流情况下免受永久性故障的影响。

此外，TO-247封装的又厚又大的散热器使这些新型IGBT具有出色的散热性能。这些IGBT 适合需要高功率和高效率的应用，例如PTC加热器的电源管理整合电路的上侧和下侧。

Magnachip执行长YJ Kim表示：「自去年初以来，Magnachip已发布符合严格AEC-Q101标准的高性能汽车电源解决方案。」Magnachip继成功发布首款用於电动汽车的IGBT产品，将继续扩大产品阵容，以满足电动汽车市场的多样化需求。