宜普电源转换公司（EPC）推出12 V输入、48 V输出、500 W的DC/DC演示板（EPC9166），展示瑞萨电子(Renesas)的ISL81807 80 V两相同步GaN升压控制器和宜普公司最新一代EPC2218 eGaN FET，在开关频率为500 kHz的12 V输入到48 V稳压输出转换中，效率超过96.5%。输出电压可配置为36 V、48 V和60 V。该板在?有散热器的情?下，可提供480 W的功率，双方?合技术实现高功率密度和低成本的DC/DC转换。

宜普公司推出基于氮化镓元件的12 V/48 V、500 W 升压转换器演示板，BOM尺寸矽与元件相同，可实现高效率和高功率密度。

稳压DC/DC升压转换器广泛用于数据中心、计算和汽车应用，在其他输出电压中，将标称的12 V转换?48 V的配电总线。主要的趋势是朝?实现更高的功率密度发展。

eGaN场效应电晶体具有快速开关、高效率和小尺寸等优势，可以?足这些前沿?用对功率密度的严格要求。 EPC2218是市场上最小、效率最高的100 V的FET。 ISL81807是业界首款整合GaN驱动器的80 V双路输出/两相（单输出）同步降压控制器，可支持高达2 MHz?率。 ISL81807采用电流模式控制，产生两个独立的输出或一个具有两个交错相位的输出。它支持电流共享，同步并联更多的控制器/更多的相位，提高轻负载的效率和低关断电流。ISL81807直接驱动EPC氮化镓场效应电晶体，实现设计简单、元件数量少和低成本的解决方案。

宜普公司首席执行长Alex Lidow表示，瑞萨电子的控制器IC让工程师更容易使用氮化镓元件。与瑞萨电子合作将其优越的控制器与宜普的高性能氮化镓元件结合，为客户提供采用少量元件的解决方案，以提高效率、增加功率密度和降低系统成本。

瑞萨电子移动、工业和基础设施电源部门副总裁Andrew Cowell表示：「瑞萨电子的ISL81807旨在高功率密度解决方案中，充份发挥GaN FET的高性能。ISL81807降低了GaN解决方案的BOM成本，因?它不需要MCU、电流感应运算放大器、外部驱动器或偏置电源。它还具有完全保护功能并整合了GaN驱动器。有了ISL81807，使用氮化镓场效应电晶体的设计就像使用矽基场效应电晶体一样简单。」

关于ISL81807更多讯息，包括样本、档案和评估工具，请浏览:renesas.com/isl81807