推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor），凭藉不断增长的符合IEEE802.3bt标准的产品和技术阵容引领产业。乙太网供电（PoE）使用新的IEEE802.3bt标准，可用於通过局域网（LAN）联接提供高达90 W的高速互联。安森美半导体的方案不仅支援新标准的功率限制，还将功率扩展到100 W用於电信和数位标识等系统。

安森美半导体推出新的乙太网供电（PoE）方案支援IoT端点日益增长的功率需求

新的IEEE802.3bt PoE标准有潜力变革物联网（IoT）所涉及的每个垂直市场，使更精密的端点可在更大的网路运行。IEEE802.3bt标准通过新的「Autoclass」特性最隹化能量管理，令受电装置（PD）将其特定的功率需求传递给供电装置（PSE）。这也令每个PSE仅向每个PD分配适当的功率量，从而最大化可用能量和频宽。

与IEEE 802.at标准（PoE+）提供的30 W相比，IEEE 802.3bt可提供高达90 W的功率和互联到新的应用，无需专用且通常为离线的电源。PoE将简化网络拓扑，并提供更稳定的「随??即用（plug and play）」用户体验。

商业信息供应商IHS Markit电源半导体高级分析师Kevin Anderson表示：「乙太网供电是当今电源半导体发展最快的市场之一，预计2017年到2022年的复合平均单位增长率为14%。IEEE 802.3bt中定义的更高供电能力促成新的应用，如更高功率联接的照明、联网的高解析度监控摄影机和高性能无线接入点。」

NCP1095和NCP1096介面控制器构成安森美半导体PoE-PD方案的基础，具有PoE介面所需的所有特性，包括检测、自动分类和限流。控制器采用一个外部（NCP1095）或内部（NCP1096）热??拔FET。NCP1096整合的热??拔FET具有Type3或Type4 PoE控制器可提供的最低导通电阻。控制器配以NCP1566 DC-DC控制器、FDMC8622单MOSFET、FDMQ8203和FDMQ8205A GreenBridge四通道MOSFET，为PoE应用中的二极管桥提供更有效的替代方案。这些元件赋予高能效的PoE介面，最高可达标准的90 W功率限制，若需更高的功率，可用专用的100 W方案。

安森美半导体工业和离线电源配置??总裁Ryan Cameron表示：「作为一家专注於高能效的公司，我们很高兴能促进PoE充分发挥潜力。安森美半导体提供全系列符合IEEE 802.3bt的方案，使这技术更容易普及所有开发工程师，有助於使更多联接的装置拥有保证的互通性。」