外電消息報導，韓國海力士(Hynix)半導體日前表示，該公司已為手機及其他可攜式裝置開發出一種高速的記憶體技術。該晶片的資料處理速度最高可達1000兆。

為了積極搶攻記憶體市場，海力士不斷的在其製程技術上創新，自去年第四季開始，海力士已採用66奈米製程生產記憶體晶片。並預計在今年下半年之後，開始進入50奈米。

海力士表示，新的記憶體晶片的資料處理能力可達每秒鐘800兆Bit，超過目前市場上的所有晶片。該公司表示，現有市場上各類的可攜式設備對高儲存密度及高處理效能有極高需求，而此晶片設計正好符合此市場需求。而此晶片將於今年第四季投入量產，型號為LPDDR2。

雖然海力士不斷提升其技術，但目前記憶體的市場仍未好轉。據報導，許多廠商因預期記憶體價格將會上揚，因此在2008年初囤積了大量庫存，但由於價格並未如預期轉揚，目前供過於求的情況已經開始逐漸顯現。