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海力士將開始生產54奈米製程記憶體晶片
 

【CTIMES/SmartAuto 籃貫銘 報導】   2008年03月31日 星期一

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外電消息報導,海力士(Hynix)半導體執行長Kim Jong-kap日前表示,該公司預計將從今年開始生產使用54奈米製程的DRAM記憶體晶片,並可能交由茂德進行生產。

Kim Jong-kap表示,他對2008年下半年的記憶體晶片市場表示樂觀。他認為DRAM記憶體晶片價格將在第三季出現反彈,而快閃記憶體也將在下半年達到供需平衡。他指出,海力士可能會大幅降低2008年的投資額,特別是在2008年下半年。

此外,報導中也指出,由於過去海力士與茂德的合作密切,未來新的54奈米製程技術也可能交由茂德生產。目前茂德的90奈米和70奈米技術都是來自於海力士,而一年前,海力士曾與茂德做了一筆類似的交易,將55奈米技術提供給了茂德科技。

報導還預測,至2012年時,海力士的DRAM記憶體晶片將全部採用300毫米生產線製造。

關鍵字: hynix(海力士茂德  Kim Jong-kap  動態隨機存取記憶體  快閃記憶體 
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