應用材料公司正式推出DPS II Centura 300矽晶蝕刻及金屬蝕刻兩套全新系統，是針對300mm製程的蝕刻工具，可支援0.10微米或是更精密的元件製造，特別是更精準的微距(Critical Dimension)控制能力，以及在整顆晶片上達成更為均勻的蝕刻結果，這些在半導體製程上都是相當關鍵的技術，此外，可讓廠商用以製造3 GHz的微處理器、4 Gbits的DRAM元件或其它更為精密的晶片。

新一代的300mm蝕刻解決方案提供了多項重要優點，這主要是透過一個特別設計的製程平台，可協助半導體廠商迅速邁入數個GHz微處理器及數個Gbits記憶體元件的新時代。DPS II製程設備其特別處乃在於採用了如可調整式電漿源(Tunable Source)等特別技術，可支援種類廣泛的半導體元件製程，此可調整式電漿源與加強的反應室設計，和能提供更精準的溫度控制能力的雙區域靜電吸附極（dual-zone electrostatic chuck），能確保整片晶片都擁有極佳的導線微距均勻度（CD Uniformity）與微塵粒表現（particle performance），可讓晶片的微距控制能力達到更高的精密程度。

除了製程工作效能外， DPS II Centura 300設備採用了一個實用的製程平台，還把多項功能整合在一起，能提供相當高的整體設備使用效率。

針對0.10微米或是更精密的各種矽晶蝕刻應用，DSP II Centura 300矽晶蝕刻製程設備提供了更為均勻的連線弧度（profile）與導線微距，包括了元件內的重要區域，且對晶片工作速度有重要影響的淺溝隔離層（STI）及閘極蝕刻；而對於整顆晶圓上的閘極線寬，這套製程設備也提供了準確且可重複的微距均勻特性，讓設備能在最快的生產速率下，擁有最高的晶粒良率。

DPS II Centura 300金屬蝕刻製程設備則可支援種類廣泛的金屬蝕刻應用，包括所有的鋁金屬層和圖案化的鎢金屬層，亦提供了更為均勻的導線微距、精密的蝕刻速率控制能力、提高晶片良率、及更高的晶圓產出率，因此能滿足先進金屬蝕刻應用所要求的高生產力。