隨著台灣晶圓代工大廠持續向外擴充版圖，並將製程推進至2nm以下，正加速驅動晶片製造廠商進入埃米時代，也越來越受惠於新材料工程和量測技術。美商應用材料公司則透過開發出越來越多採用Sculpta圖案成形應用技術，與創新的CVD圖案化薄膜、蝕刻系統和量測解決方案。

為了幫助克服先進晶片的圖案化挑戰，應材提供了一系列能夠補強最新微影技術的產品與解決方案。

如應材於2023年國際光電工程學會（SPIE）舉行的先進微影暨圖案化技術研討會上，便推出一系列滿足「埃米時代」晶片圖案化需求的產品和解決方案，進而克服 EUV和高數值孔徑（High-NA）EUV 圖案化的挑戰，包括：線邊緣粗糙度、頂端對頂端的間隙（tip-to-tip spacing）限制、橋接缺陷和邊緣置放誤差。

其中Centura Sculpta圖案化系統，可讓晶片製造商能透過延伸拉長圖案特徵，來減少EUV雙重圖案化步驟，使得特徵端點彼此之間，能比使用單一EUV或高數值孔徑EUV曝光更為接近，而能有效補強和改善使用微影技術製造晶片。目前應材正與所有市場上頂尖的邏輯晶片製造商合作，開發越來越多的Sculpta應用，得以減少頂端對頂端的間隙限制、消除橋接缺陷，進而降低圖案化成本、複雜度，並提高晶片良率。

同時推出Sym3 Y Magnum蝕刻系統，可在同一反應室中結合沉積和新蝕刻技術，沿著粗糙邊緣沉積材料，使EUV線路圖案在被蝕刻到晶圓前變得更平順，從而提高良率並降低線路電阻，進而改善晶片效能和功耗，目前正部署用於埃米時代節點中的EUV圖案化。

此外，應材領先業界的電子束量測系統，能經過嚴格定義將數十億個特徵放置在每一層，使之與晶片中下一層的相反特徵正確對齊。避免微幅的置放誤差，恐會降低晶片效能和功耗表現；唯若出現大幅度誤差，更將造成影響良率的缺陷。

應材現已收購Aselta Nanographics公司，透過輪廓來蒐集更龐大的數據量，了解其配方在圖案化薄膜和晶圓上製造出的形狀，並將這些資料回饋至光學微影和製程流程進行設計型量測，以製造更精確的晶片特徵和避免置放位置誤差。

值得一提的是，早自2012 年以來，應材便優先將圖案化作為研發重點，投資推出新產品和解決方案，已將其服務的圖案化市場從2013年約15億美元，增至2023年超過80億美元，同時將機會市占率從約10%增加到超過30%。