工研院研發的電阻式非揮發性記憶體(Resistive Random Access Memory, RRAM)的研發成果,獲選在2008國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting, IEDM),向全球電機電子研發菁英發布最新技術進展。
RRAM具有下世代非揮發性記憶體的潛力而備受業界關注,預計在未來有機會取代快閃記憶體(Flash)及DRAM。工研院電光所自2006年開始進行RRAM研發,此次發表的RRAM研發進展包括:操作功率遠低於目前已發表的RRAM,最低可達23奈安培的電流及1.5V的低電壓特性;操作時間也極為快速,可達10奈秒以下,媲美DRAM操作速度;具有5個電阻態,可進行多階操作;讀寫次數可達106次;以及在200℃的溫度下,資料可儲存10年以上之優異特點。此外,還具有運用與業界高相容性的高介電常數材料(high-K)及金屬及製程結構簡單之特點,突破現今運用鉑等貴金屬材料及複雜製程的RRAM,能快速實現RRAM移轉業界進行量產之可能性。