德州儀器（TI）針對高電流DC/DC應用，推出業界第一個透過封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET 產品系列。DualCool NexFET功率MOSFET有助於縮小終端設備的尺寸，同時還可將通過MOSFET的電流提高50％。目前基礎設備市場對處理功率，客戶要求以更小的封裝實現具有更高電流的DC/DC電源。DualCool NexFET功率MOSFET在不改變尺寸的同時能處理更多電流，可充分滿足客戶需求。

TI亞洲市場開發電源產品協理羅偉指出，大電流與小體積將是MOSFET發展的終極趨勢。

TI亞洲市場開發電源產品協理羅偉指出，TI的MOSFET技術，來自於Ciclon。Ciclon是2004年在美國賓州成立的私人公司，前身是貝爾實驗室的技術，專精於MOSFET技術，並於2009年由TI完全併購。TI在併購Ciclon之後，該部門將專注發展高效、節能的MOSFET。羅偉強調說，目前TI已擁有PWM Controller以及Gate Driver等技術，唯獨就缺少MOSFET這一塊技術。而併購了Ciclon的最大意義，在於TI終於可以完整提供在Power領域的所有相關解決方案。在購入MOSFET的相關技術後，未來TI也將依據客戶需求，整合出不同功能的產品，以滿足市場所需。

羅偉也解釋，第一代的MOSFET又叫做Planer，裸晶通常較大，而MOSFET最重要的電阻RDS(ON)在開關打開時，電阻值越低越好，然而在降低內阻的同時，充電的電容又不能太大，否則太過耗電。也因此會出現電阻小、電容又要小的設計上矛盾。到了第二代的MOSFET，也就是目前多數廠商所使用的Trench（溝槽式），其電阻小，但電容卻相對變大了，現在TI的NexFET技術就在克服這樣的問題，也就是能同時提供更小的電阻與電容，如此在電源轉換的充電與放電之間，電源的損耗就能大幅減少，進而提高效率。這也是目前TI與競爭對手間存在的最大技術差異。一般來說，要降低電阻是比較容易的，但要降低電容值便有一定的技術門檻存在，這部分在TI併購了Ciclon之後，便具有了業界的領先優勢。

羅偉最後指出，DualCool是封裝技術的改進，裸晶的部分沒有多大差異，而是透過封裝的改變，來滿足客戶對於電流提升以及功率的要求。這是TI跨入MOSFET領域的第一個產品，未來將朝向更小的封裝體積發展，畢竟要讓晶片體積更小，卻同時要承載更大的電流量，在設計上將是很大的挑戰，同時還有散熱方面的問題需要克服，但這卻是未來發展的趨勢，也是所有設計商必須要走的路。而未來TI也將致力於提供更穩定的產品，供客戶使用於其系統之中。