日本NEC基础研究所去年开发出闸极宽度仅8奈米的全球最小晶体管，因此理论上应可制造出10兆位(Tera bit)的内存，相当于1000万份报纸的信息量，接下来的挑战目标是5奈米。

在晶体管内，电子由源极流向泄极，途中的闸极会控制电子流。闸极愈窄，通过的电波愈难控制。如果能研究出闸极到多窄的程度会无法控制电子流，应该就能知道硅半导体的极限。

位于茨城县筑波市的NEC基础研究所认为在常温下，5奈米是控制电子流的极限。制程技术使用的电子束直径为5奈米，理论上现在的方法应该能开发出闸极宽度为5奈米的电晶体。