根据媒体报导，不少半导体设备厂与后段测试厂，对目前多家国内DRAM厂宣布即将进行新旧制程转换的说法，仍持保留态度，表示新制程良率其实仍不稳定，产能大量转换成新制程的时间点应会延迟至第四季末才进行。

由于包括三星、南亚科、力晶、茂德等国内外DRAM厂，近来相继宣布0.13微米新制程良率获得重大突破，所产出的良品DRAM颗粒数，已经超过旧制程所产出的DRAM颗粒数，由于采用新制程已具经济规模与成本效益，因此第三季末可开始进行新旧制程大幅转换工作。

但是不少半导体设备厂与后段测试厂，却对此一说法态度保留，表示DRAM厂新制程良率其实仍不稳定，现在进行大规模的新旧制程转换风险很大，DRAM厂产能大量转换成新制程的时间点，应会延迟至第四季末。

部分前段制程设备厂业者指出，一般在八吋晶圆上以0.18微米旧制程量产128Mb DRAM，产出良率已达九成以上，产出颗粒数约达四百五十颗，而以0.13微米新制程量产相同容量DRAM，虽然单片晶圆产出数量可增加30％，但若良率未达70％以上，产出颗粒不会超过旧制程。