Crolles2联盟日前公布了一份在京都举办的VLSI会议(VLSI Symposium)文件，描述使用传统大量CMOS制程技术与45奈米设计规则，在量产条件下建构面积小于0.25平方微米的6晶体管结构SRAM单元。

Crolles2是由飞思卡尔半导体、飞利浦、ST共同组成的联盟。其位于法国Crolles的300mm试产线曾制造出1.5Mbit数组。此次合作发布的文件再次展示了该联盟作为业界领先的65奈米及45奈米CMOS设计节点之最大研发联盟的成功地位。

飞思卡尔的Claudine Simson、飞利浦的Rene Penning de Vries，以及ST的Laurent Bosson三位联盟首席技术长表示：“以我们的创新与技术领先为基础，我们已成功地展示了在45奈米节点生产功能电路与超高密度SRAM单元的能力。”这个先进的Crolles2晶圆厂生产线已开始试产300mm晶圆的90奈米CMOS组件，并预计在2005年生产65奈米CMOS的原型。而最新发布的45奈米技术，则是迈向新一代量产制程技术的关键。