意法半导体（STMicroelectronics，ST）与半导体材料设计制造公司Soitec宣布下一阶段的碳化矽（Silicon Carbide，SiC）基板合作计画，意法半导体准备於18个月内完成Soitec碳化矽基板技术产前认证测试。此次合作目标为意法半导体采用Soitec的SmartSiC技术制造未来8寸碳化矽基板，促进碳化矽元件与模组制造之业务，这项技术有??在中期实现并量产。

意法半导体汽车和离散元件部总裁 Marco Monti表示，「汽车和工业客户正在加速推动系统及产品电动化，升级至8寸SiC晶圆将为其带来巨大益处，产品产量提升对於推动规模经济非常重要。我们选择利用垂直整合的制造模式，从高品质的基板到大规模的前段制程和後段封测在整个制造链中充分利用意法多年累积的专业技术，而与Soitec技术合作目标旨在持续提升制造良率和品质。」

Soitec营运长Bernard Aspar则表示，「随着电动汽车时代的到来，汽车产业正面临巨变。领先产业的SmartSiC技术是将我们专有的SmartCut制程用於碳化矽半导体材料，能够在推动电动汽车普及化中发挥关键作用。Soitec的SmartSiC基板与意法产业领先的碳化矽技术及专长整合，必将改变汽车晶片制造的游戏规则并树立新标准。」

碳化矽（Silicon Carbide，SiC）是一种颠覆性的化合物半导体材料，在电动汽车及工业制程领域的高成长功率应用中，碳化矽材料之固有性质使碳化矽元件的性能及效能优於矽基半导体。碳化矽具有更高效率的电源转换，亦能做出轻量型设计，节省整体系统设计成本皆为汽车和工业系统成功之关键叁数及要素。从6寸升级至 8寸晶圆，能够大幅增加产能，制造整合电路的可用面积几??是增加一倍，每个晶圆上的有效出片量为升级前的1.8至1.9倍。

SmartSiC为Soitec独家技术，此技术能从高品质的碳化矽供体晶圆上切出一个薄层，并将其黏合到待处理之低电阻多晶矽晶圆片表面，而加工後的基板便能提高晶片的性能及制造良率。优质的碳化矽供体晶圆亦可多次重覆使用，大幅降低供体加工的总能源消耗。