ROHM第4代SiC MOSFET和闸极驱动器IC已被日本知名汽车零件制造商日立安斯泰莫株式会社（以下简称日立安斯泰莫）使用於电动车（以下简称EV）逆变器。

ROHM第4代SiC MOSFET成功导入日立安斯泰莫电动车逆变器

在全球实现减碳社会的过程中，汽车的电动化进程持续加速，在此背景下，开发更高效、更小型、更轻量的电动动力总成系统已经成为必经之路。尤其是在EV领域，为了延长续航里程并缩减电池尺寸，如何提高驱动核心逆变器的效率已成为重要课题，市场对碳化矽功率元件更是寄予厚??。

ROHM自2010年起领先全球率先开始量产SiC MOSFET，在SiC功率元件技术开发方面，始终保持业界领先地位。其中新推出的第4代SiC MOSFET改善了短路耐受时间，并实现了业界超低导通电阻。在车电逆变器中采用该产品时，与使用IGBT时相比，电耗可以减少6%（按照国际标准「WLTC燃料消耗量测试」计算），非常有助延长电动车的续航里程。

日立安斯泰莫多年来一直致力於车用马达和逆变器等相关技术研发，并且已经为日益普及的EV提供了大量产品，在该市场中拥有傲人成绩。本次为了进一步提高逆变器性能，日立安斯泰莫首次在主驱逆变器的电路中采用了SiC功率元件，并计画2025年起，向包括日本在内的全球车厂供应逆变器产品。

今後ROHM也将以SiC功率元件领导企业之姿，不断扩大产品阵容，结合能大幅发挥元件性能的控制IC等周边元件技术优势，持续提供有助汽车技术创新的电源解决方案。