账号:
密码:
最新动态
 
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 新闻 /
2015年SiC市场规模将达2.7亿美元
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2007年11月13日 星期二

浏览人次:【7188】

日本矢野经济研究所发表了SiC(碳化硅)及GaN等电子组件单芯片市调报告。该单位指出,wide gap半导体用单芯片以及非线形光学晶体,多未达到实用和量产水平。往后市场可望增加的是SiC以及GaN等。

2006年SiC单芯片市场规模为40亿日圆(3635万美元)。SiC目前主要用于研究用途。但是随着组件实用化,需求正不断扩大。预计往后使用硅的高耐压离散组件将被SiC取代。而矢野经济研究所也预计,在2~3年内除了已投产的二极管、MOSFET等的开关组件将量产外,2013年将形成稳定的市场。

SiC底板方面,除了采用在SiC上形成有外延SiC薄膜的电子组件外,使用GaN的HEMT组件,以及发光组件的底板也存在使用需求。尤其HEMT组件,将随着高速通讯及手机基地台的需求而增加。预测SiC单芯片的市场规模到2010年将达到105亿日圆(约1亿美元),2015年将达到300亿日圆(约2.7亿美元)。

GaN单晶目前主要用于作为新一代DVD激光头使用的蓝紫色半导体激光器的底板,以及投影机和背投电视等雷射显示光源所用的蓝色半导体激光器底板。

關鍵字: SiC 
相关新闻
德州仪器扩大氮化??半导体内部制造作业 将自有产能提升至四倍
格棋化合物半导体中坜新厂落成 携手中科院强化高频通讯技术
ASM双腔体碳化矽磊晶平台 满足先进碳化矽功率元件领域需求
ROHM推出4款工业电源适用SOP封装通用AC-DC控制器IC
ROHM与UAES签署SiC功率元件长期供货协议
comments powered by Disqus
相关讨论
  相关文章
» 未来无所不在的AI架构导向边缘和云端 逐步走向统一与可扩展
» 延续后段制程微缩 先进导线采用石墨烯与金属的异质结构
» 提升供应链弹性管理 应对突发事件的挑战和冲击
» 专利辩论
» 碳化矽基板及磊晶成长领域 环球晶布局掌握关键技术


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8B92Y5FCWSTACUKX
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw