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内存技术竞赛 Intel看好PRAM
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2007年04月17日 星期二

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英特尔(Intel)在英特尔开发商论坛(IDF)上首次公开演示其PRAM技术。PRAM是由英特尔和数家其他公司联合开发的一种相变随机内存,被认为可能取代Flash,甚至是DRAM。与DRAM不同的是,Flash等非挥发性内存不会因没电而丢失存储的信息。但是,与DRAM相比,Flash读写数据的速度要慢得多,而且容量较小,制造成本也更高。而PRAM在数据读写速度和耐用性方面都比Flash有优势,英特尔将于今年下半年生产PRAM。
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關鍵字: Intel  其他記憶元件 
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