英特尔（Intel）在英特尔开发商论坛（IDF）上首次公开演示其PRAM技术。PRAM是由英特尔和数家其他公司联合开发的一种相变随机内存，被认为可能取代Flash，甚至是DRAM。与DRAM不同的是，Flash等非挥发性内存不会因没电而丢失存储的信息。但是，与DRAM相比，Flash读写数据的速度要慢得多，而且容量较小，制造成本也更高。而PRAM在数据读写速度和耐用性方面都比Flash有优势，英特尔将于今年下半年生产PRAM。

目前市面上的DRAM具有成本低与随机存取的优势，但遗憾的是其挥发性会造成断电后数据失去；而充当缓冲存储器的SRAM，虽读写速度快且可随机存取，但也易挥发且成本较高；Flash虽成本低且具有非挥发性特点，但却苦于速度慢而且无法随机存取。为了解决这些问题，相关产业已着手开发整合DRAM、SRAM和闪存等所有优点的下一代内存，例如磁性随机内存（MRAM）、铁电随机内存（FeRAM/FRAM）和相变随机内存（PRAM）等。然而，目前除了PRAM外，FRAM和MRAM仍无法跨越16Mb。相形之下，PRAM更易实现大容量和大规模生产，因而成为时下针对行动装置在下一代内存应用中最有希望的候选者。

英特尔寄希望于PRAM能够取代NOR和NAND Flash，提高PRAM芯片的需求，降低其生产成本。Flash被广泛应用在手机和其他携带型产品中，但也能被应用在PC中。PRAM的应用范围与Flash一样，英特尔正在调查PRAM的新用途，看它是否能够取代DRAM，英特尔认为PRAM它的性能似乎不输DRAM，不过PRAM是否能够完全取代DRAM，还是个未知数。